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MOCVD石墨盘

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产品描述

  等静压石墨-光纤、半导体
  公司研发专用于光纤、半导体领域的石墨件,适用于多种场景
  第一代半导体(硅晶圆拉晶、外延、SOI):加热器、坩埚、保温桶、导流筒等热场部件
  第三代半导体(PVT法生产SiC单晶、GaN衬底外延):坩埚、保温加热石墨件、透气板、衬底外延用石墨、多孔石墨
  光纤:加热器、保温管、马弗管等石墨器件
  其他:芯片封装、离子注射及刻蚀、泡生法蓝宝石

光纤、半导体用等静压石墨产品规格及技术指标

指标 单位 GRB1 GRB2 GRB3
体积密度 g/cm³ 1.78-1.80 1.80-1.82 1.82-1.85
抗折强度 Mpa 45.00 50.00 55.00
肖氏硬度 HS 55.00 65.00 68.00
电阻率 μΩ·m 11-13 11-13 11-13
热膨胀系数 10-6/℃ 4.50 4.70 4.80
气孔率 % 12.00 10.00 8.00
平均粒度 μm 12 10 10

  注:1)热膨胀系数试样为10*50mm,温度为RT-600℃温度
    2)产品指标与规格可根据客户要求定制
    3)总灰分<5ppm,微量元素含量均可满足半导体要求
  公司还开发了多孔石墨、气浮石墨、连铸石墨、电火花石墨等石墨材料,可以根据客户需求提供定制化产品和服务,欢迎洽谈交流!

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